Назад

Модуль пам'яті Samsung M378B1G73EB0-CK0

Код: TZK1065097

  • Опис
  • Характеристики
  • Отзывы
Модуль пам'яті Samsung M378B1G73EB0-CK0 Diawest Модуль пам'яті Samsung M378B1G73EB0-CK0 Diawest Модуль пам'яті Samsung M378B1G73EB0-CK0 Diawest
Модуль пам'яті Samsung M378B1G73EB0-CK0 Diawest Модуль пам'яті Samsung M378B1G73EB0-CK0 Diawest Модуль пам'яті Samsung M378B1G73EB0-CK0 Diawest

Немає в наявності

1217 грн

БЕЗКОШТОВНА ДОСТАВКА

Способи доставки:

Ваше місто Київ

Нова Почта

Доставка "Самовивезення"

Умови повернення

Повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця

Докладніше

Опис

DDR3 SDRAM - це третє покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних. Переваги в порівнянні з DDR2: більш висока пропускна здатність (до 19200 МБ / с), понижене тепловиділення (результат зменшення напруги живлення), менше енергоспоживання та поліпшене енергозбереження.

Модуль пам'яті DDR-3 8GB 1600 MHz Samsung (M378B1G73EB0-CK0) працює з тактовою частотою 1600 MHz. Модуль пам'яті має параметр CL11, що означає величину латентності, рівну 11. CAS-латентність - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину.
Модуль пам'яті Samsung M378B1G73EB0-CK0 Diawest

Немає в наявності

Модуль пам'яті Samsung M378B1G73EB0-CK0

1217 грн

Технічні характеристики

Основні характеристики

Модель DDR3 8GB 1600 MHz

Додаткові характеристики

Виробник Samsung

Артикул M378B1G73EB0-CK0

Тип пам'яті DDR3

Об'єм пам'яті 8 ГБ

Кількість модулів у наборі 1

Частота пам'яті 1600 MHz

Таймінги CL11

Напруга 1.5 V

Охолодження немає

Примітка Поставка товару можлива в ОЕМ-версії. Тобто, товар може поставлятися без супроводжуючих матеріалів і додаткових компонентів, в упаковці без оформлення, що гарантує лише їх безпечне транспортування.

Країна виробництва Тайвань

Гарантія, міс 60

(Збірка) Споживча потужність 6 Вт

Модуль пам'яті Samsung M378B1G73EB0-CK0 Diawest

Немає в наявності

Модуль пам'яті Samsung M378B1G73EB0-CK0

1217 грн