Оперативная память; PC3-10666; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,5 В
Код: TZK288605
- Описание
- Характеристики
- Отзывы
Описание
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с),
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),
- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Модуль памяти DDR3 2048Mb Hynix имеет параметр CL9, что обозначает величину латентности, равную 9. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
DDR3 2048Mb Hynix - это модуль памяти, который работает с тактовой частотой 1333MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 10600 МБ/с.
Нет в наличии
Оперативная память; PC3-10666; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,5 В
344 грн
Технические характеристики
Основные характеристики
Производитель Hynix
Модель DDR3 2GB 1333 MHz
Дополнительные характеристики
Артикул HMT325U6AFR8C / HMT325U6CFR8C
Тип памяти DDR3
Объем памяти 2 GB
Количество модулей в наборе 1
Стандарты памяти -
Частота памяти 1333 MHz
Тайминги CL9
Напряжение 1.5 V
Проверка и коррекция ошибок (ECC) non-ECC
Форм-фактор памяти -
Буферизация unbuffered
Охлаждение нет
Примечание Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транс
Страна производства Южная Корея
Гарантия, мес 60
Гарантия -
Подсветка -
Отзывы
Чтобы оставить отзыв, пожалуйста, авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
Нет в наличии
Оперативная память; PC3-10666; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,5 В
344 грн