Оперативная память; PC-3200; штатные тайминги: CL3; рабочее напряжение: 2,6 В
Код: TZK585296
- Описание
- Характеристики
- Отзывы
Описание
Модуль памяти DDR SDRAM 1GB 400 MHz Hynix (HYND7AUDR-50M48)DDR SDRAM - это первое поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, в сравнении с SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти.
Модуль памяти DDR SDRAM 1GB 400 MHz Hynix (HYND7AUDR-50M48) имеет параметр CL3, что обозначает величину латентности, равную 3. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
Нет в наличии
Оперативная память; PC-3200; штатные тайминги: CL3; рабочее напряжение: 2,6 В
459 грн
Технические характеристики
Основные характеристики
Производитель Hynix
Модель DDR SDRAM 1GB 400 MHz
Дополнительные характеристики
Артикул HYND7AUDR-50M48 / HY5DU12822
Тип памяти DDR
Объем памяти 1 GB
Количество модулей в наборе 1
Стандарты памяти -
Частота памяти 400 MHz
Тайминги CL3
Напряжение -
Форм-фактор памяти -
Проверка и коррекция ошибок (ECC) -
Буферизация -
Охлаждение нет
Примечание Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транс
Гарантия -
Страна производства Южная Корея
Гарантия, мес 24
Подсветка -
(Сборка) Высота модуля памяти -
(Сборка) Потребляемая мощность -
Отзывы
Чтобы оставить отзыв, пожалуйста, авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
Нет в наличии
Оперативная память; PC-3200; штатные тайминги: CL3; рабочее напряжение: 2,6 В
459 грн