Оперативная память; PC3-12800; штатные тайминги: 11-11-11-28; рабочее напряжение: 1,5 В
Код: TZK406923
- Описание
- Характеристики
- Отзывы
Описание
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с);
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания);
- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Модуль памяти DDR3 4096Mb GOODRAM (GR1600D364L11/4G) имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
DDR3 4096Mb GOODRAM (GR1600D364L11/4G) - это один модуль памяти на 4 Гб. Память работает с тактовой частотой 1600MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 12800МБ/с.
Нет в наличии
Оперативная память; PC3-12800; штатные тайминги: 11-11-11-28; рабочее напряжение: 1,5 В
599 грн
Технические характеристики
Основные характеристики
Производитель GOODRAM
Модель DDR3 4GB 1600 MHz
Дополнительные характеристики
Артикул GR1600D364L11S/4G
Тип памяти DDR3
Объем памяти 4 GB
Количество модулей в наборе 1
Стандарты памяти -
Частота памяти 1600 MHz
Тайминги CL11
Напряжение 1.5 V
Охлаждение нет
Форм-фактор памяти -
Примечание Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транс
Проверка и коррекция ошибок (ECC) -
Страна производства США
Буферизация -
Гарантия, мес 60
Гарантия -
Подсветка -
Отзывы
Чтобы оставить отзыв, пожалуйста, авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
Нет в наличии
Оперативная память; PC3-12800; штатные тайминги: 11-11-11-28; рабочее напряжение: 1,5 В
599 грн